ON Semiconductor - FCH47N60F

KEY Part #: K6410001

[88шт сток]


    номер части:
    FCH47N60F
    производитель:
    ON Semiconductor
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 600V 47A TO-247.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - JFETs and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in ON Semiconductor FCH47N60F electronic components. FCH47N60F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCH47N60F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FCH47N60F Атрибуты продукта

    номер части : FCH47N60F
    производитель : ON Semiconductor
    Описание : MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
    Серии : SuperFET™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 47A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 73 mOhm @ 23.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 270nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±30V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 8000pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 417W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : TO-247
    Пакет / Дело : TO-247-3

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • IXTY1R4N60P

      IXYS

      MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.