Renesas Electronics America - UPA2822T1L-E1-AT

KEY Part #: K6393944

UPA2822T1L-E1-AT Цены (доллары США) [171284шт сток]

  • 1 pcs$0.23872
  • 3,000 pcs$0.23754

номер части:
UPA2822T1L-E1-AT
производитель:
Renesas Electronics America
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Renesas Electronics America UPA2822T1L-E1-AT electronic components. UPA2822T1L-E1-AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UPA2822T1L-E1-AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UPA2822T1L-E1-AT Атрибуты продукта

номер части : UPA2822T1L-E1-AT
производитель : Renesas Electronics America
Описание : MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 34A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 83nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4660pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.5W (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-HWSON (3.3x3.3)
Пакет / Дело : 8-PowerWDFN

Вы также можете быть заинтересованы в