ON Semiconductor - FDS6679

KEY Part #: K6392701

FDS6679 Цены (доллары США) [109658шт сток]

  • 1 pcs$0.33730
  • 2,500 pcs$0.32420

номер части:
FDS6679
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Single and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDS6679 electronic components. FDS6679 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6679, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS6679 Атрибуты продукта

номер части : FDS6679
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3939pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOIC
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы также можете быть заинтересованы в