Toshiba Semiconductor and Storage - 2SJ305TE85LF

KEY Part #: K6397679

2SJ305TE85LF Цены (доллары США) [511324шт сток]

  • 1 pcs$0.07234

номер части:
2SJ305TE85LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ305TE85LF electronic components. 2SJ305TE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ305TE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2SJ305TE85LF Атрибуты продукта

номер части : 2SJ305TE85LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 200mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 50mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 92pF @ 3V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 200mW (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SC-59
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.