производитель :
ON Semiconductor
Описание :
IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8DIP
Состояние детали :
Obsolete
Управляемая конфигурация :
Low-Side
Тип ворот :
IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка :
7V ~ 10V
Логическое напряжение - VIL, VIH :
-
Ток - Пиковая мощность (источник, раковина) :
-
Тип ввода :
Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - Макс (Bootstrap) :
-
Время подъема / падения (тип.) :
-
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Комплект поставки устройства :
8-PDIP