IXYS - IXTQ100N25P

KEY Part #: K6394666

IXTQ100N25P Цены (доллары США) [12463шт сток]

  • 1 pcs$3.65543
  • 30 pcs$3.63724

номер части:
IXTQ100N25P
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Single, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTQ100N25P electronic components. IXTQ100N25P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ100N25P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ100N25P Атрибуты продукта

номер части : IXTQ100N25P
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
Серии : PolarHT™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 185nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6300pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 600W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-3P
Пакет / Дело : TO-3P-3, SC-65-3