Infineon Technologies - IRG5U150HF12B

KEY Part #: K6533555

[4339шт сток]


    номер части:
    IRG5U150HF12B
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - стабилитроны - массивы ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IRG5U150HF12B electronic components. IRG5U150HF12B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG5U150HF12B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRG5U150HF12B Атрибуты продукта

    номер части : IRG5U150HF12B
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип IGBT : -
    конфигурация : Half Bridge
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 260A
    Мощность - Макс : 1100W
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.5V @ 15V, 150A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 2mA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 18nF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : No
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : POWIR® 62 Module
    Комплект поставки устройства : POWIR® 62

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-GP250SA60S

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

    • VS-GT105NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

    • VS-GT105LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.