Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETH0806FP-M3

KEY Part #: K6442958

VS-ETH0806FP-M3 Цены (доллары США) [82036шт сток]

  • 1 pcs$0.50172
  • 10 pcs$0.44737
  • 25 pcs$0.42462
  • 100 pcs$0.33001
  • 250 pcs$0.30847
  • 500 pcs$0.27261
  • 1,000 pcs$0.21522
  • 2,500 pcs$0.20087
  • 5,000 pcs$0.19130

номер части:
VS-ETH0806FP-M3
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2. Rectifiers 8A 600V Hyperfast 21ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Модули питания драйверов and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ETH0806FP-M3 electronic components. VS-ETH0806FP-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ETH0806FP-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETH0806FP-M3 Атрибуты продукта

номер части : VS-ETH0806FP-M3
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
Серии : FRED Pt®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 2.65V @ 8A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 21ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 12µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2 Full Pack
Комплект поставки устройства : TO-220-2 Full Pack
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWF12STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWF06STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.