Vishay Siliconix - SI7788DP-T1-GE3

KEY Part #: K6418426

SI7788DP-T1-GE3 Цены (доллары США) [63444шт сток]

  • 1 pcs$0.61630
  • 3,000 pcs$0.57742

номер части:
SI7788DP-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7788DP-T1-GE3 electronic components. SI7788DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7788DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7788DP-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SI7788DP-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 125nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5370pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK42A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 42A TO-220.

  • TK8A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS.