BYG10KHM3_A/H Цены (доллары США) [610372шт сток]
- 1 pcs$0.06060
- 12,600 pcs$0.05270
- номер части:
- BYG10KHM3_A/H
- производитель:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Подробное описание:
- DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,800V SMA AVAL AEC-Q101 Qualified
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10KHM3_A/H electronic components. BYG10KHM3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10KHM3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10KHM3_A/H Атрибуты продукта
номер части :
BYG10KHM3_A/H
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Avalanche
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1.5A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.15V @ 1.5A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
4µs
Ток - обратная утечка @ Vr :
1µA @ 800V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства :
DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
BAV20W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 625mA 1A IFSM
-
1N4148W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns
-
SD103AW-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO
-
SD101AW-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60Volt 2A IFSM
Горячие части
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08