Infineon Technologies - IRLR3915PBF

KEY Part #: K6412164

[13539шт сток]


    номер части:
    IRLR3915PBF
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - IGBT - Модули ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies IRLR3915PBF electronic components. IRLR3915PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3915PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR3915PBF Атрибуты продукта

    номер части : IRLR3915PBF
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
    Серии : HEXFET®
    Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 92nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±16V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1870pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 120W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : D-Pak
    Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • 2N7000,126

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92.

    • IRFR3412PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

    • IRFR15N20DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 200V 17A DPAK.

    • IRFR3505PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • IRFR3411PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.

    • IRLR3915PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.