Infineon Technologies - IRLR2908TRPBF

KEY Part #: K6401994

IRLR2908TRPBF Цены (доллары США) [160171шт сток]

  • 1 pcs$0.23092
  • 2,000 pcs$0.19734

номер части:
IRLR2908TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRLR2908TRPBF electronic components. IRLR2908TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR2908TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLR2908TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRLR2908TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 80V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 30A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 33nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±16V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1890pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 120W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.