Vishay Siliconix - SIHG23N60E-GE3

KEY Part #: K6399384

SIHG23N60E-GE3 Цены (доллары США) [18087шт сток]

  • 1 pcs$2.27842
  • 10 pcs$2.03383
  • 100 pcs$1.66756
  • 500 pcs$1.35031
  • 1,000 pcs$1.08042

номер части:
SIHG23N60E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG23N60E-GE3 electronic components. SIHG23N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG23N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG23N60E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHG23N60E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Серии : E
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 23A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 158 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2418pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 227W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TA)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247AC
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • IXTY1R6N50D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK.

  • IXTY1R6N100D2

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.