Infineon Technologies - IRF6714MTRPBF

KEY Part #: K6419560

IRF6714MTRPBF Цены (доллары США) [118907шт сток]

  • 1 pcs$0.52276
  • 4,800 pcs$0.52016

номер части:
IRF6714MTRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRF6714MTRPBF electronic components. IRF6714MTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6714MTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6714MTRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRF6714MTRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 25V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 29A (Ta), 166A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 44nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3890pF @ 13V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DIRECTFET™ MX
Пакет / Дело : DirectFET™ Isometric MX

Вы также можете быть заинтересованы в