Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-10ETF02PBF

KEY Part #: K6442780

VS-10ETF02PBF Цены (доллары США) [3017шт сток]

  • 1,000 pcs$0.54617

номер части:
VS-10ETF02PBF
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETF02PBF electronic components. VS-10ETF02PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETF02PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-10ETF02PBF Атрибуты продукта

номер части : VS-10ETF02PBF
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC
Серии : -
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 10A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.2V @ 10A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 200ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : TO-220-2
Комплект поставки устройства : TO-220AC
Рабочая температура - соединение : -40°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-8EWS12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS16SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252.

  • VS-8EWF12SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252.

  • VS-8EWS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252.

  • VS-8EWF10SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO252.

  • VS-8EWF04SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252.