Microsemi Corporation - JANTX1N5614US

KEY Part #: K6444139

JANTX1N5614US Цены (доллары США) [6470шт сток]

  • 1 pcs$6.83526
  • 10 pcs$6.21475
  • 25 pcs$5.74867
  • 100 pcs$5.28254
  • 250 pcs$4.81643

номер части:
JANTX1N5614US
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 1A D5A. Rectifiers Rectifier
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - Программируемый однопереход, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5614US electronic components. JANTX1N5614US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5614US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5614US Атрибуты продукта

номер части : JANTX1N5614US
производитель : Microsemi Corporation
Описание : DIODE GEN PURP 200V 1A D5A
Серии : Military, MIL-PRF-19500/437
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.3V @ 3A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 2µs
Ток - обратная утечка @ Vr : 500nA @ 200V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SQ-MELF, A
Комплект поставки устройства : D-5A
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 200°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RJU60C2SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

  • RJU60C3SDPD-E0#J2

    Renesas Electronics America

    DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

  • VS-50WQ06FNTRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-50WQ06FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

  • VS-30WQ10FNTRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.