STMicroelectronics - STD8NM50N

KEY Part #: K6419129

STD8NM50N Цены (доллары США) [93055шт сток]

  • 1 pcs$0.42019
  • 2,500 pcs$0.37253

номер части:
STD8NM50N
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Модули питания драйверов, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STD8NM50N electronic components. STD8NM50N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD8NM50N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD8NM50N Атрибуты продукта

номер части : STD8NM50N
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Серии : MDmesh™ II
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 500V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 790 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 364pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 45W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в