Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM10-1000-E3/96

KEY Part #: K6452201

BYM10-1000-E3/96 Цены (доллары США) [867544шт сток]

  • 1 pcs$0.04263
  • 1,500 pcs$0.04070
  • 3,000 pcs$0.03663
  • 7,500 pcs$0.03459
  • 10,500 pcs$0.03154
  • 37,500 pcs$0.02950

номер части:
BYM10-1000-E3/96
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-1000-E3/96 electronic components. BYM10-1000-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM10-1000-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM10-1000-E3/96 Атрибуты продукта

номер части : BYM10-1000-E3/96
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Серии : SUPERECTIFIER®
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.2V @ 1A
скорость : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : -
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-213AB, MELF (Glass)
Комплект поставки устройства : DO-213AB
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • C3D03065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 3A, 650V

  • C3D02060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 2A

  • 1PS59SB20,115

    NXP USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SMT3.

  • MA3X028WAL

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 6V 100MA MINI3.

  • PMEG6010AED,115

    Nexperia USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A 6TSOP.

  • VS-15EVL06-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK. Rectifiers 600V 15A SlimDPAK FRED