Diodes Incorporated - DMN10H700S-13

KEY Part #: K6416388

DMN10H700S-13 Цены (доллары США) [1275871шт сток]

  • 1 pcs$0.02899
  • 10,000 pcs$0.02603

номер части:
DMN10H700S-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET NCH 100V 700MA SOT23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN10H700S-13 electronic components. DMN10H700S-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H700S-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN10H700S-13 Атрибуты продукта

номер части : DMN10H700S-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET NCH 100V 700MA SOT23
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 700mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 4.6nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 235pF @ 50V
Функция FET : Standard
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 400mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SOT-23
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.