Microsemi Corporation - APTGT75DA60T1G

KEY Part #: K6533071

APTGT75DA60T1G Цены (доллары США) [3454шт сток]

  • 1 pcs$12.53634
  • 100 pcs$12.21528

номер части:
APTGT75DA60T1G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
POWER MOD IGBT 600V 100A SP1.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT75DA60T1G electronic components. APTGT75DA60T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT75DA60T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT75DA60T1G Атрибуты продукта

номер части : APTGT75DA60T1G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : POWER MOD IGBT 600V 100A SP1
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Single
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100A
Мощность - Макс : 250W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 75A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 4.62nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP1
Комплект поставки устройства : SP1

Вы также можете быть заинтересованы в