производитель :
Taiwan Semiconductor Corporation
Описание :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA
Состояние детали :
Active
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 1A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 800V
Емкость @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-214AA, SMB
Комплект поставки устройства :
DO-214AA (SMB)
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 150°C