IXYS - IXTP2N100

KEY Part #: K6417404

IXTP2N100 Цены (доллары США) [30119шт сток]

  • 1 pcs$1.51278
  • 50 pcs$1.50525

номер части:
IXTP2N100
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTP2N100 electronic components. IXTP2N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP2N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP2N100 Атрибуты продукта

номер части : IXTP2N100
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 825pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 100W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • AUIRLS3034-7TRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 380A D2PAK-7P.

  • IRLR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • FQD5P20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK.

  • IRFR6215TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 150V 13A DPAK.

  • TK12A80W,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS.

  • R5016ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM.