IXYS - IXFN320N17T2

KEY Part #: K6398902

IXFN320N17T2 Цены (доллары США) [2523шт сток]

  • 1 pcs$18.02700
  • 10 pcs$16.67648
  • 25 pcs$15.32411
  • 100 pcs$14.24244
  • 250 pcs$13.07058

номер части:
IXFN320N17T2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Модули and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN320N17T2 electronic components. IXFN320N17T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN320N17T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN320N17T2 Атрибуты продукта

номер части : IXFN320N17T2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 170V 260A SOT227
Серии : GigaMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 170V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 260A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 640nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 45000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1070W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • R8002ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM.

  • IPA80R450P7XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 11A TO220.