ON Semiconductor - FDB3632-F085

KEY Part #: K6392673

FDB3632-F085 Цены (доллары США) [40424шт сток]

  • 1 pcs$0.96726

номер части:
FDB3632-F085
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Single and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDB3632-F085 electronic components. FDB3632-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB3632-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB3632-F085 Атрибуты продукта

номер части : FDB3632-F085
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
Серии : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 310W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263AB
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в