IXYS - IXTN90N25L2

KEY Part #: K6398139

IXTN90N25L2 Цены (доллары США) [2499шт сток]

  • 1 pcs$18.19379
  • 10 pcs$16.82937
  • 25 pcs$15.46477
  • 100 pcs$14.37309
  • 250 pcs$13.19050

номер части:
IXTN90N25L2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTN90N25L2 electronic components. IXTN90N25L2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN90N25L2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTN90N25L2 Атрибуты продукта

номер части : IXTN90N25L2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227
Серии : Linear L2™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 250V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 640nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 23000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 735W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.