Infineon Technologies - FS200R07A1E3BOSA1

KEY Part #: K6533719

[739шт сток]


    номер части:
    FS200R07A1E3BOSA1
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    IGBT 650V 250A 790W.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Тиристоры - СКВ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies FS200R07A1E3BOSA1 electronic components. FS200R07A1E3BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS200R07A1E3BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FS200R07A1E3BOSA1 Атрибуты продукта

    номер части : FS200R07A1E3BOSA1
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : IGBT 650V 250A 790W
    Серии : -
    Состояние детали : Obsolete
    Тип IGBT : -
    конфигурация : Three Phase Inverter
    Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
    Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 250A
    Мощность - Макс : 790W
    Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A
    Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
    Входная емкость (Cies) @ Vce : 13nF @ 25V
    вход : Standard
    NTC Термистор : Yes
    Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Chassis Mount
    Пакет / Дело : Module
    Комплект поставки устройства : Module

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GB70LA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 111A 447W SOT-227.

    • VS-GB50LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 84A 431W SOT-227.

    • VS-GB100DA60UP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MODULE IGBT SOT-227.

    • VS-GA200SA60SP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MODULE IGBT SOT-227.

    • VS-GA100NA60UP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 100A 250W SOT-227.