производитель :
IXYS Integrated Circuits Division
Описание :
2A MOSFET 8 DIP DUAL INV/NON-INV
Состояние детали :
Active
Управляемая конфигурация :
Low-Side
Тип ворот :
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Поставка :
4.5V ~ 35V
Логическое напряжение - VIL, VIH :
0.8V, 3V
Ток - Пиковая мощность (источник, раковина) :
2A, 2A
Тип ввода :
Inverting, Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - Макс (Bootstrap) :
-
Время подъема / падения (тип.) :
7.5ns, 6.5ns
Рабочая Температура :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Комплект поставки устройства :
8-DIP