Infineon Technologies - BSB056N10NN3GXUMA1

KEY Part #: K6416489

BSB056N10NN3GXUMA1 Цены (доллары США) [59902шт сток]

  • 1 pcs$0.65273
  • 5,000 pcs$0.59887

номер части:
BSB056N10NN3GXUMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ, Модули питания драйверов, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1 electronic components. BSB056N10NN3GXUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSB056N10NN3GXUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSB056N10NN3GXUMA1 Атрибуты продукта

номер части : BSB056N10NN3GXUMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 9A (Ta), 83A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 5500pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Пакет / Дело : 3-WDSON

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.