CRG05(TE85L,Q,M) Цены (доллары США) [944660шт сток]
- 1 pcs$0.03915
- номер части:
- CRG05(TE85L,Q,M)
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT. Rectifiers 800V Vrrm 1.0A IF 50Hz 1.2V Vfm REC
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - мостовые выпрямители ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CRG05(TE85L,Q,M) electronic components. CRG05(TE85L,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CRG05(TE85L,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CRG05(TE85L,Q,M) Атрибуты продукта
номер части :
CRG05(TE85L,Q,M)
производитель :
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание :
DIODE GEN PURP 800V 1A S-FLAT
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
800V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.2V @ 1A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
10µA @ 800V
Емкость @ Vr, F :
-
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
SOD-123F
Комплект поставки устройства :
S-FLAT (1.6x3.5)
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 150°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
-
Горячие части
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08