Vishay Siliconix - SISH106DN-T1-GE3

KEY Part #: K6404817

SISH106DN-T1-GE3 Цены (доллары США) [114968шт сток]

  • 1 pcs$0.32172

номер части:
SISH106DN-T1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SISH106DN-T1-GE3 electronic components. SISH106DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISH106DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISH106DN-T1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SISH106DN-T1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 27nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±12V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.5W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® 1212-8SH
Пакет / Дело : PowerPAK® 1212-8SH

Вы также можете быть заинтересованы в
  • RFD14N05LSM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA.

  • IRFI4410ZGPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB.

  • NDF08N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 8.4A TO-220FP.

  • NDF06N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP.

  • NDF08N50ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP.

  • NDF04N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP.