Описание :
GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE
Состояние детали :
Discontinued at Digi-Key
Тип FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Функция FET :
GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss) :
60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C :
23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs :
6.8nC @ 5V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds :
830pF @ 30V
Рабочая Температура :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа :
Surface Mount
Комплект поставки устройства :
Die