Vishay Siliconix - SIHD6N65ET1-GE3

KEY Part #: K6419611

SIHD6N65ET1-GE3 Цены (доллары США) [121110шт сток]

  • 1 pcs$0.30541

номер части:
SIHD6N65ET1-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - Выпрямители - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHD6N65ET1-GE3 electronic components. SIHD6N65ET1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD6N65ET1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD6N65ET1-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHD6N65ET1-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Серии : E
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 820pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 78W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252AA
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в