ON Semiconductor - NTA4151PT1G

KEY Part #: K6418765

NTA4151PT1G Цены (доллары США) [1006038шт сток]

  • 1 pcs$0.03677
  • 3,000 pcs$0.03611

номер части:
NTA4151PT1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NTA4151PT1G electronic components. NTA4151PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTA4151PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTA4151PT1G Атрибуты продукта

номер части : NTA4151PT1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 20V 0.76A SOT-416
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 760mA (Tj)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 2.1nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±6V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 156pF @ 5V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 301mW (Tj)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : SC-75, SOT-416
Пакет / Дело : SC-75, SOT-416

Вы также можете быть заинтересованы в