STMicroelectronics - STD2NK90Z-1

KEY Part #: K6419584

STD2NK90Z-1 Цены (доллары США) [119955шт сток]

  • 1 pcs$0.30989
  • 3,000 pcs$0.30834

номер части:
STD2NK90Z-1
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - JFETs and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STD2NK90Z-1 electronic components. STD2NK90Z-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD2NK90Z-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD2NK90Z-1 Атрибуты продукта

номер части : STD2NK90Z-1
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
Серии : SuperMESH™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 900V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.1A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 485pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 70W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : I-PAK
Пакет / Дело : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Вы также можете быть заинтересованы в