Vishay Semiconductor Diodes Division - UF5408-E3/54

KEY Part #: K6455802

UF5408-E3/54 Цены (доллары США) [392353шт сток]

  • 1 pcs$0.10472
  • 1,400 pcs$0.10420
  • 2,800 pcs$0.09501
  • 7,000 pcs$0.08888
  • 9,800 pcs$0.08275

номер части:
UF5408-E3/54
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD. Rectifiers Vr/1000V Io/3A
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UF5408-E3/54 electronic components. UF5408-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UF5408-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UF5408-E3/54 Атрибуты продукта

номер части : UF5408-E3/54
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.7V @ 3A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 75ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F : 36pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Through Hole
Пакет / Дело : DO-201AD, Axial
Комплект поставки устройства : DO-201AD
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4448W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns