Nexperia USA Inc. - PMZB350UPE,315

KEY Part #: K6416424

PMZB350UPE,315 Цены (доллары США) [820075шт сток]

  • 1 pcs$0.04533
  • 10,000 pcs$0.04510

номер части:
PMZB350UPE,315
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMZB350UPE,315 electronic components. PMZB350UPE,315 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMZB350UPE,315, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZB350UPE,315 Атрибуты продукта

номер части : PMZB350UPE,315
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 1.9nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 127pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DFN1006B-3
Пакет / Дело : 3-XFDFN

Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.