Vishay Semiconductor Diodes Division - MURS360S-M3/52T

KEY Part #: K6457775

MURS360S-M3/52T Цены (доллары США) [677053шт сток]

  • 1 pcs$0.05463
  • 6,000 pcs$0.04995

номер части:
MURS360S-M3/52T
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA. Rectifiers 3A,600V,50NS,UF RECT,SMD
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Массивы and Транзисторы - IGBT - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MURS360S-M3/52T electronic components. MURS360S-M3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURS360S-M3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURS360S-M3/52T Атрибуты продукта

номер части : MURS360S-M3/52T
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 600V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 3A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.28V @ 4A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 75ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 10µA @ 600V
Емкость @ Vr, F : -
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AA, SMB
Комплект поставки устройства : DO-214AA (SMB)
Рабочая температура - соединение : -65°C ~ 175°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34JHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-400-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • EGL34B-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 100 Volt 50ns

  • BYM07-150-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated