Vishay Siliconix - IRFI9Z24GPBF

KEY Part #: K6396216

IRFI9Z24GPBF Цены (доллары США) [31917шт сток]

  • 1 pcs$1.29125
  • 10 pcs$1.10629
  • 100 pcs$0.88888
  • 500 pcs$0.69136
  • 1,000 pcs$0.57284

номер части:
IRFI9Z24GPBF
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix IRFI9Z24GPBF electronic components. IRFI9Z24GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI9Z24GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFI9Z24GPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFI9Z24GPBF
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 570pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 37W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Вы также можете быть заинтересованы в