ON Semiconductor - FDD8880

KEY Part #: K6392706

FDD8880 Цены (доллары США) [386259шт сток]

  • 1 pcs$0.09576
  • 2,500 pcs$0.09306

номер части:
FDD8880
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули, Транзисторы - IGBT - Single and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDD8880 electronic components. FDD8880 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD8880, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDD8880 Атрибуты продукта

номер части : FDD8880
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 13A (Ta), 58A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1260pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 55W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-252AA
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в