ON Semiconductor - NSVMUN5133DW1T1G

KEY Part #: K6528810

NSVMUN5133DW1T1G Цены (доллары США) [924855шт сток]

  • 1 pcs$0.03999
  • 6,000 pcs$0.03777

номер части:
NSVMUN5133DW1T1G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NSVMUN5133DW1T1G electronic components. NSVMUN5133DW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMUN5133DW1T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSVMUN5133DW1T1G Атрибуты продукта

номер части : NSVMUN5133DW1T1G
производитель : ON Semiconductor
Описание : TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип Транзистора : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100mA
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 50V
Резистор - База (R1) : 4.7 kOhms
Резистор - база эмиттера (R2) : 47 kOhms
Усиление постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500nA
Частота - Переход : -
Мощность - Макс : 250mW
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект поставки устройства : SC-88/SC70-6/SOT-363

Вы также можете быть заинтересованы в