ON Semiconductor - FDP070AN06A0

KEY Part #: K6419109

FDP070AN06A0 Цены (доллары США) [91746шт сток]

  • 1 pcs$0.42832
  • 800 pcs$0.42619

номер части:
FDP070AN06A0
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Модули питания драйверов, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDP070AN06A0 electronic components. FDP070AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDP070AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP070AN06A0 Атрибуты продукта

номер части : FDP070AN06A0
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 15A (Ta), 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 175W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в