Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS427,L3M

KEY Part #: K6455928

1SS427,L3M Цены (доллары США) [2750629шт сток]

  • 1 pcs$0.01419
  • 10,000 pcs$0.01412
  • 30,000 pcs$0.01329
  • 50,000 pcs$0.01246
  • 100,000 pcs$0.01107

номер части:
1SS427,L3M
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA SW DIODE
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 1SS427,L3M electronic components. 1SS427,L3M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS427,L3M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS427,L3M Атрибуты продукта

номер части : 1SS427,L3M
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 80V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 100mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.2V @ 100mA
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : 1.6ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 500nA @ 80V
Емкость @ Vr, F : 0.3pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOD-923
Комплект поставки устройства : SOD-923
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • 1N4150W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt

  • SL04-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Vrrm If(AV)1.1A 40A Ifsm eSMP

  • SL04-HM3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Schottky SMF AEC-Q101 Qualified