Vishay Semiconductor Diodes Division - 1N4150W-HE3-08

KEY Part #: K6455891

1N4150W-HE3-08 Цены (доллары США) [2033073шт сток]

  • 1 pcs$0.01920
  • 3,000 pcs$0.01910
  • 6,000 pcs$0.01661
  • 15,000 pcs$0.01412
  • 30,000 pcs$0.01329
  • 75,000 pcs$0.01246
  • 150,000 pcs$0.01107

номер части:
1N4150W-HE3-08
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150W-HE3-08 electronic components. 1N4150W-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150W-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4150W-HE3-08 Атрибуты продукта

номер части : 1N4150W-HE3-08
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Серии : -
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 50V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 200mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 200mA
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : 4ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 100nA @ 50V
Емкость @ Vr, F : 2.5pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : SOD-123
Комплект поставки устройства : SOD-123
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SD103AW-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40Volt 15A IFSM AUTO

  • SD101AW-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30mA 60 Volt

  • SL02-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 20V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1 Amp 20 Volt