ON Semiconductor - FDMS86250

KEY Part #: K6405366

FDMS86250 Цены (доллары США) [91270шт сток]

  • 1 pcs$0.56158
  • 3,000 pcs$0.55879

номер части:
FDMS86250
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor FDMS86250 electronic components. FDMS86250 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS86250, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMS86250 Атрибуты продукта

номер части : FDMS86250
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN
Серии : PowerTrench®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 150V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2330pF @ 75V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-PQFN (5x6)
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в