Nexperia USA Inc. - PMPB20EN,115

KEY Part #: K6421515

PMPB20EN,115 Цены (доллары США) [686193шт сток]

  • 1 pcs$0.05390
  • 3,000 pcs$0.04738

номер части:
PMPB20EN,115
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMPB20EN,115 electronic components. PMPB20EN,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMPB20EN,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMPB20EN,115 Атрибуты продукта

номер части : PMPB20EN,115
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 10.8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 435pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DFN2020MD-6
Пакет / Дело : 6-UDFN Exposed Pad

Вы также можете быть заинтересованы в