A1N4007G-G Цены (доллары США) [2338035шт сток]
- 1 pcs$0.01669
- 5,000 pcs$0.01661
- 10,000 pcs$0.01412
- 25,000 pcs$0.01329
- 50,000 pcs$0.01246
- 125,000 pcs$0.01107
- номер части:
- A1N4007G-G
- производитель:
- Comchip Technology
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41. Rectifiers AEC-Q101 RECTIFIER 1A 1000V
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Comchip Technology A1N4007G-G electronic components. A1N4007G-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for A1N4007G-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
A1N4007G-G Атрибуты продукта
номер части :
A1N4007G-G
производитель :
Comchip Technology
Описание :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
1000V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 1A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
-
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 1000V
Емкость @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Through Hole
Пакет / Дело :
DO-204AL, DO-41, Axial
Комплект поставки устройства :
DO-41
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 125°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
BYM10-800-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM07-300-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5 Amp 300 Volt
-
Горячие части
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G