STMicroelectronics - STB150N3LH6

KEY Part #: K6401125

STB150N3LH6 Цены (доллары США) [3159шт сток]

  • 1,000 pcs$0.62019

номер части:
STB150N3LH6
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Диоды - мостовые выпрямители, Модули питания драйверов, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - ТРИАКС and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STB150N3LH6 electronic components. STB150N3LH6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB150N3LH6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB150N3LH6 Атрибуты продукта

номер части : STB150N3LH6
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Серии : DeepGATE™, STripFET™ VI
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3800pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 110W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263 (D²Pak)
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в