Vishay Semiconductor Diodes Division - MMBD914-HE3-08

KEY Part #: K6458646

MMBD914-HE3-08 Цены (доллары США) [3481810шт сток]

  • 1 pcs$0.01121
  • 15,000 pcs$0.01115

номер части:
MMBD914-HE3-08
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 200mA 4ns
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MMBD914-HE3-08 electronic components. MMBD914-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBD914-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMBD914-HE3-08 Атрибуты продукта

номер части : MMBD914-HE3-08
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 100V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 200mA
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1V @ 10mA
скорость : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Обратное время восстановления (trr) : 4ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 5µA @ 75V
Емкость @ Vr, F : 4pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект поставки устройства : SOT-23
Рабочая температура - соединение : 150°C (Max)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode