STPSC8H065G-TR Цены (доллары США) [51685шт сток]
- 1 pcs$0.75651
- 1,000 pcs$0.63802
- 2,000 pcs$0.60612
- 5,000 pcs$0.58333
- номер части:
- STPSC8H065G-TR
- производитель:
- STMicroelectronics
- Подробное описание:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers 650 V 8A Schottky silicon carbid T2PAK
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in STMicroelectronics STPSC8H065G-TR electronic components. STPSC8H065G-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STPSC8H065G-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STPSC8H065G-TR Атрибуты продукта
номер части :
STPSC8H065G-TR
производитель :
STMicroelectronics
Описание :
DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
Серии :
-
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Silicon Carbide Schottky
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
650V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
8A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.75V @ 8A
скорость :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
0ns
Ток - обратная утечка @ Vr :
80µA @ 650V
Емкость @ Vr, F :
414pF @ 0V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Комплект поставки устройства :
D²PAK
Рабочая температура - соединение :
-40°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
-
CMDD6001 TR
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
-
VS-5EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
-
1N4150W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
BAT43W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM
Горячие части
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54