IXYS - IXTA05N100HV

KEY Part #: K6395243

IXTA05N100HV Цены (доллары США) [27833шт сток]

  • 1 pcs$4.48633
  • 10 pcs$4.03593
  • 100 pcs$3.31825
  • 500 pcs$2.78016

номер части:
IXTA05N100HV
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXTA05N100HV electronic components. IXTA05N100HV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA05N100HV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA05N100HV Атрибуты продукта

номер части : IXTA05N100HV
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 750mA (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.8nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 260pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 40W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-263
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в